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Reynaldo C. Castells Eleuterio L. Arancibia Angel M. Nardillo 《Journal of solution chemistry》1993,22(1):85-94
The retention behavior of eight halomethanes and four saturated hydrocarbons was measured in gas chromatographic stationary phases consisting in tri-n-octylamine (TOA), squalane (SQ) and six TOA+SQ mixtures, at 55.0, 58.5, 62.5 and 65.0°C. Equlibrium constants for complex formation were extracted from experimental data by using a lattice model developed by Martire. The results may be interpreted in terms of the formation of weak hydrogen-bonded complexes, with sociation constants of about 0.13 L-mol–1 for haloforms and 0.07 L-mol–1 for dihalomethanes at 60°C. 相似文献
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We examine two criteria for balance of a gain graph, one based on binary cycles and one on circles. The graphs for which each criterion is valid depend on the set of allowed gain groups. The binary cycle test is invalid, except for forests, if any possible gain group has an element of odd order. Assuming all groups are allowed, or all abelian groups, or merely the cyclic group of order 3, we characterize, both constructively and by forbidden minors, the graphs for which the circle test is valid. It turns out that these three classes of groups have the same set of forbidden minors. The exact reason for the importance of the ternary cyclic group is not clear. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. J Graph Theory 相似文献
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利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
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使用SAC/SAC-CI方法,利用D95(d),6-311g**以及cc-PVTZ等基组,对B2分子的基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对3个基组的计算结果的比较,得出了D95(d)基组为3个基组中的最优基组的结论;使用D95(d)基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态(X3Σg-),SAC-CI的GSUM方法对激发态(A3Σu-)进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据吻合. 相似文献
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利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理:加载强度较低时,只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动;而随着加载强度超过一定阈值,在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下,孔洞只沿加载方向增长;在后一种机理作用下,孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史,发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定,由此提出了一个孔洞生长模型,可以解释孔洞增长的线性生长规律.
关键词:
纳米孔洞
分子动力学
冲击加载
位错 相似文献
40.
用Java实现网上结构图实验仿真 总被引:2,自引:0,他引:2
基于线性系统仿真的连接矩阵方法,用Java语言开发面向结构图的实验仿真程序,以Applet小应用程序的形式插入网页中运行,实现了信号与系统网上实验教学中的结构图实验仿真。经试用,程序在浏览器中运行正常,可以完成一般线性系统仿真,与以MATLAB,LABView等程序开发的实验仿真程序相比,该程序运行环境简单,几乎所有常用的Web浏览器都支持Java运行,不需另行安装相应组件。对于线性系统结构图,实现了所见即所得的图形化编程环境,具有较好的人机交互性。 相似文献